强硬反击!长江存储三告美国半导体巨头,在美起诉美光侵犯 11 项专利
来源: | 作者:law-唐邦知识产权 | 发布时间: 283天前 | 802 次浏览 | 分享到:
觉醒的中国企业主动打响“反击战”,任何时候看都能让人热血沸腾!

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据多家媒体报道,中国3D NAND领军企业长江存储已在美国加利福尼亚北区联邦地方法院对美国半导体巨头美光提起诉讼,指控美光侵犯了其11项专利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 产品。

长江存储请求法院判令美光停止在美国销售涉嫌侵权的存储产品,并要求美光支付相应的专利使用费。

据长江存储的指控,美光的多款3D NAND闪存产品,包括96层(型号B27A)、128层(型号B37R)、176层(型号B47R)和232层(型号B58R),以及部分DDR5 SDRAM产品(型号Y2BM系列),均涉嫌侵犯了长江存储在美国申请的11项专利或专利申请。

对于该起侵权诉讼,美光保持沉默,并未作出正面回应,只在声明中表示,美光不对未决诉讼发表评论。

长江存储,中国第一家存储器晶圆厂,3D-NAND 存储芯片国内龙头。作为中国存储芯片行业行业“领头羊”之一,这些年长江存储遭遇的“明枪暗箭”不计其数。

2022年底,美商务部根据所谓的“证据”,以威胁其国家安全为由,将长江存储列入了实体清单,使其不能从美国获得128层及以上的3D NAND的晶圆制造设备和技术。

被“拉黑”后的长江存储失去了设备和技术的支撑,只能摸黑前行,自我探索、研发的道路艰难得超乎想象,但凭着一股自立自强的志气和骨气,长江存储攀登上一个又一个科技高峰,成功在全球半导体市场上杀出一条血路。

长江存储成功在国际半导体行业崭露头角,让其拥有了在国外市场上与竞争对手叫板的底气。

2023年11月,长江存储首次在美国加州北区地方法院提起诉讼,指控美光侵犯了其8项3D NAND Flash相关的美国专利。这些专利涵盖了3D NAND存储器件及其形成方法、非易失性存储装置及控制方法等核心技术。

在诉讼文件中,长江存储指出,美光未经许可擅自使用其专利技术,且未支付相应的合理费用。此外,长江存储还发现美光在其专利申请文件中引用了长江存储的专利,这表明美光清楚地意识到长江存储的专利组合具有重要价值。

今年6月,长江存储二度与美光产生纠纷。

根据Court Listener法律数据库的信息,2024年6月7日,长江存储在美国加利福尼亚州北部地区联邦法院提起了一项诉讼。诉讼中,长江存储控告由美光资助的丹麦咨询企业Strand Consult及其副总裁Roslyn Layton传播不实信息,破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

长江存储查明,Strand Consult得到了美光的财务支持。美光作为长江存储在全球3D NAND存储芯片市场上的主要竞争者之一,被指控试图通过不正当手段来压制对手,以维护其市场地位。

时隔一月余,长江存储再度“亮剑”,以专利维权为抓手敲打国外竞争对手,捍卫了自身创新技术筑牢专利技术“护城河”,同时在全球半导体市场为自己争取公平竞争。在这个过程中,进一步强化了长江存储通过法律手段维护自身合法权益的初衷,更展现了中国企业在高科技领域的自信与决心。



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